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NXP Semiconductors
PESD1FLEX
FlexRay bus ESD protection diode
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
2
3
Description
cathode 1
cathode 2
common cathode
Simpli?ed outline
3
1
2
Symbol
1
2
3
006aaa155
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD1FLEX
-
plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
4. Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD1FLEX
Marking code [1]
ZJ*
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
peak pulse power
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
200
3
W
A
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
PESD1FLEX_2
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 3 or 2 to 3.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 15 February 2008
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